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Entwicklungsingenieur*in (d/m/w) für InGaAlP/AlGaAs-Epitaxie-Design und -Prozess
Regensburg
Aktualität: 23.11.2022

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23.11.2022, OSRAM GmbH
Regensburg
Entwicklungsingenieur*in (d/m/w) für InGaAlP/AlGaAs-Epitaxie-Design und -Prozess
Entwicklung neuartiger MOCVD-Epitaxie-Designs, -Prozesse und -Hardware zur Herstellung von InGaAlP/AlGaAs basierten (µ)LEDs Selbständige Planung und Auswertungen von »Designs-of-Experiment«-Versuchen in der Epitaxie-Entwicklung auf Basis bekannter als auch neu zu entwickelnder Charakterisierungsmethoden, z.B. µ-PL, PL, SEM, XRD, AFM, SIMS, etc. Prozesstransfer der entwickelten Prozesse und ggf. neuer Anlagenplattformen in die Volumensfertigung Intensive Zusammenarbeit mit interdisziplinären, multikulturellen Expertenteams aus Epitaxie, Simulation und Chipprozessierung in der DOE-Erstellung und -Auswertung
Erfolgreich abgeschlossenes Studium (Master, Diplom) der Physik/Chemie, Materialwissenschaften oder eines vergleichbaren technischen/naturwissenschaftlichen Studiengangs; bevorzugt mit einschlägiger zusätzlicher Promotion Relevante einschlägige Berufserfahrung in der III-V-Epitaxie-Entwicklung auf dem Niveau eines (Key-)Experten, bevorzugt mit Schwerpunkt im InGaAlP/AlGaAs-Materialsystem Fundierte Erfahrung im Bereich der MOCVD-Prozesse mit vertieften Kenntnissen der Einflüsse der Epitaxie-Designs auf die Bauteilperformance sowie deren Charakterisierungsmethoden Vertiefte Kenntnisse der Wechselwirkungen zwischen Prozess und Hardware sowie deren Analysemethoden Leidenschaftlicher Teamspieler gepaart mit Innovationsfähigkeit, Problemlösungsstärke und hoher Verlässlichkeit Sehr gute Englischkenntnisse, Grundkenntnisse in Deutsch

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