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Entwicklungsingenieur*in (d/m/w) Nitrid-Epitaxiedesign & Prozess
Regensburg
Aktualität: 23.11.2022

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23.11.2022, OSRAM GmbH
Regensburg
Entwicklungsingenieur*in (d/m/w) Nitrid-Epitaxiedesign & Prozess
Entwicklung neuartiger Epitaxie-Designs mittels GaN-basierten MOCVD-Wachstumsprozessen für (opto)elektronische-Anwendungen Selbständige Planung und Auswertungen von »Designs-of-Experiment«-Versuchen in der Epitaxie-Entwicklung auf Basis einschlägiger Charakterisierungsmethoden (z.B. µ-PL, PL, SEM, XRD, AFM, SIMS, etc.) unter Berücksichtigung von Prozess-Anlagen-Wechselwirkungen Prozesstransfer der entwickelten Prozesse und ggf. neuer Anlagenplattformen in die Volumens-Fertigung Intensive Zusammenarbeit mit interdisziplinären, multikulturellen Expertenteams aus Epitaxie, Simulation und Chipprozessierung in der DOE-Erstellung und -Auswertung
Erfolgreich abgeschlossenes Studium (Master, Diplom) der Physik/Chemie, Materialwissenschaften oder eines vergleichbaren technischen/naturwissenschaftlichen Studiengangs; bevorzugt mit einschlägiger zusätzlicher Promotion Relevante einschlägige Berufserfahrung in der III-V-Epitaxie-Entwicklung auf dem Niveau eines (Senior-)Experten bevorzugt mit Schwerpunkt im (Al)(In)GaN-Materialsystem auf Aixtron vertikal Reaktoren Fundierte Erfahrung im Bereich der MOCVD-Prozesse und -Hardware mit vertieften Kenntnissen der Einflüsse der Epitaxie-Designs auf die Bauteilperformance sowie deren Charakterisierungsmethoden Kenntnisse der Wechselwirkung zwischen Epitaxie-Design und Chipprozessierung Arbeiten in internationalen Teams mit Reisebereitschaft nach Malaysia Leidenschaftlicher Teamspieler gepaart mit Innovationsfähigkeit, Problemlösungsstärke und hoher Verlässlichkeit Sehr gute Englischkenntnisse, Grundkenntnisse in Deutsch

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