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Entwicklungsingenieur*in (d/m/w) Epitaxie von Nitrid-basierten UV-C LEDs
Regensburg
Aktualität: 25.01.2023
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25.01.2023, OSRAM GmbH
Regensburg
Entwicklungsingenieur*in (d/m/w) Epitaxie von Nitrid-basierten UV-C LEDs
Entwicklung und Herstellung von innovativen GaN basierten Halbleiterstrukturen sowie Entwicklung der zugehörigen MOCVD-Wachstumsprozessen im GaN-Materialsystem
Selbständige Planung und Auswertungen von Experimenten in der Epitaxie-Entwicklung auf Basis einschlägiger Charakterisierungsmethoden (z.B. PL, SEM, XRD, AFM, SIMS, etc.) zur Verbesserung der primären Bauteilkenngrößen (z.B. Stabilität, Effizienz, Ausgangsleistung)
Prozesstransfer der entwickelten Prozesse und ggf. neuer Anlagenplattformen in die Massenproduktion
Intensive Zusammenarbeit mit interdisziplinären, multikulturellen Expertenteams aus Epitaxie, Simulation, Analytik und Chipprozessierung
Erfolgreich abgeschlossenes Studium (Master, Diplom) der Physik/Chemie, Materialwissenschaften oder eines vergleichbaren technischen/naturwissenschaftlichen Studiengangs bevorzugt mit einschlägiger zusätzlicher Promotion
Relevante einschlägige Berufserfahrung in der III-V-Epitaxie-Entwicklung auf dem Niveau eines (Senior-)Experten bevorzugt mit Schwerpunkt im (Al)(In)GaN-Materialsystem
Fundierte Erfahrung im Bereich der MOCVD-Prozesse und -Hardware mit vertieften Kenntnissen der Einflüsse der Epitaxie-Designs auf die Bauteilperformance sowie deren Charakterisierungsmethoden
Kenntnisse der Wechselwirkung zwischen Epitaxie-Design und Chipprozessierung
Leidenschaftlicher Teamspieler gepaart mit Innovationsfähigkeit, Problemlösungsstärke und hoher Verlässlichkeit
Sehr gute Englischkenntnisse, Grundkenntnisse in Deutsch vorteilhaft
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