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Entwicklungsingenieur*in (d/m/w) Epitaxie von Nitrid-basierten UV-C LEDs
Regensburg
Aktualität: 25.01.2023

Anzeigeninhalt:

25.01.2023, OSRAM GmbH
Regensburg
Entwicklungsingenieur*in (d/m/w) Epitaxie von Nitrid-basierten UV-C LEDs
Entwicklung und Herstellung von innovativen GaN basierten Halbleiterstrukturen sowie Entwicklung der zugehörigen MOCVD-Wachstumsprozessen im GaN-Materialsystem Selbständige Planung und Auswertungen von Experimenten in der Epitaxie-Entwicklung auf Basis einschlägiger Charakterisierungsmethoden (z.B. PL, SEM, XRD, AFM, SIMS, etc.) zur Verbesserung der primären Bauteilkenngrößen (z.B. Stabilität, Effizienz, Ausgangsleistung) Prozesstransfer der entwickelten Prozesse und ggf. neuer Anlagenplattformen in die Massenproduktion Intensive Zusammenarbeit mit interdisziplinären, multikulturellen Expertenteams aus Epitaxie, Simulation, Analytik und Chipprozessierung
Erfolgreich abgeschlossenes Studium (Master, Diplom) der Physik/Chemie, Materialwissenschaften oder eines vergleichbaren technischen/naturwissenschaftlichen Studiengangs bevorzugt mit einschlägiger zusätzlicher Promotion Relevante einschlägige Berufserfahrung in der III-V-Epitaxie-Entwicklung auf dem Niveau eines (Senior-)Experten bevorzugt mit Schwerpunkt im (Al)(In)GaN-Materialsystem Fundierte Erfahrung im Bereich der MOCVD-Prozesse und -Hardware mit vertieften Kenntnissen der Einflüsse der Epitaxie-Designs auf die Bauteilperformance sowie deren Charakterisierungsmethoden Kenntnisse der Wechselwirkung zwischen Epitaxie-Design und Chipprozessierung Leidenschaftlicher Teamspieler gepaart mit Innovationsfähigkeit, Problemlösungsstärke und hoher Verlässlichkeit Sehr gute Englischkenntnisse, Grundkenntnisse in Deutsch vorteilhaft

Berufsfeld

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Mitarbeiter (m/w/d) im F&E-Labor 29.01.2023 Steinau an der Straße
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Technische Assistenz (m/w/d) 13.01.2023 Stuttgart